Siç e dimë të gjithë, tendenca e zhvillimit të teknologjisë së materialit të synuar është e lidhur ngushtë me trendin e zhvillimit të teknologjisë së filmit në industrinë e aplikimit në rrjedhën e poshtme.Me përmirësimin teknologjik të produkteve ose komponentëve të filmit në industrinë e aplikimit, teknologjia e synuar gjithashtu duhet të ndryshojë.Për shembull, prodhuesit e Ic kohët e fundit janë fokusuar në zhvillimin e instalimeve elektrike të bakrit me rezistencë të ulët, i cili pritet të zëvendësojë ndjeshëm filmin origjinal të aluminit në vitet e ardhshme, kështu që zhvillimi i objektivave të bakrit dhe objektivave të tyre të kërkuar pengues do të jetë urgjent.
Përveç kësaj, në vitet e fundit, ekrani i panelit të sheshtë (FPD) ka zëvendësuar kryesisht tregun e ekranit kompjuterik dhe televizionit të bazuar në tubin me rreze katodike (CRT).Gjithashtu do të rrisë shumë kërkesën teknike dhe të tregut për objektivat e ITO-s.Dhe pastaj ka teknologjinë e ruajtjes.Kërkesa për disqe të ngurtë me densitet të lartë dhe me kapacitet të madh dhe disqe të fshirë me densitet të lartë vazhdon të rritet.Të gjitha këto kanë çuar në ndryshime në kërkesën për materialet e synuara në industrinë e aplikimit.Në vijim do të prezantojmë fushat kryesore të aplikimit të synuar dhe trendin e zhvillimit të objektivit në këto fusha.
1. Mikroelektronika
Në të gjitha industritë e aplikimit, industria e gjysmëpërçuesve ka kërkesat më të rrepta të cilësisë për filmat me spërkatje të synuar.Tashmë janë prodhuar vafera silikoni prej 12 inç (300 epistaxis).Gjerësia e ndërlidhjes po zvogëlohet.Kërkesat e prodhuesve të vaferës së silikonit për materialet e synuara janë në shkallë të madhe, pastërti të lartë, ndarje të ulët dhe kokrra të imta, gjë që kërkon që materialet e synuara të kenë mikrostrukturë më të mirë.Diametri i grimcave kristalore dhe uniformiteti i materialit të synuar janë konsideruar si faktorët kryesorë që ndikojnë në shkallën e depozitimit të filmit.
Krahasuar me aluminin, bakri ka rezistencë më të lartë të elektromobilitetit dhe rezistencë më të ulët, gjë që mund të plotësojë kërkesat e teknologjisë së përcjellësit në instalime elektrike nën mikron nën 0.25um, por sjell probleme të tjera: forcë të ulët ngjitjeje midis bakrit dhe materialeve të mesme organike.Për më tepër, është e lehtë për të reaguar, gjë që çon në korrozionin e ndërlidhjes së bakrit dhe prishjen e qarkut gjatë përdorimit të çipit.Për të zgjidhur këtë problem, duhet të vendoset një shtresë barriere midis shtresës së bakrit dhe shtresës dielektrike.
Materialet e synuara të përdorura në shtresën penguese të ndërlidhjes së bakrit përfshijnë Ta, W, TaSi, WSi, etj. Por Ta dhe W janë metale zjarrduruese.Është relativisht e vështirë për t'u bërë dhe lidhjet si molibden dhe kromi po studiohen si materiale alternative.
2. Për ekranin
Ekrani i panelit të sheshtë (FPD) ka ndikuar shumë në tregun e monitorit të kompjuterit dhe televizionit të bazuar në tubin me rreze katodike (CRT) gjatë viteve, dhe gjithashtu do të nxisë teknologjinë dhe kërkesën e tregut për materialet e synuara ITO.Sot ekzistojnë dy lloje të objektivave të ITO-s.Njëra është përdorimi i gjendjes nanometër të oksidit të indiumit dhe pluhurit të oksidit të kallajit pas sinterimit, tjetri është përdorimi i objektivit të aliazhit të kallajit indium.Filmi ITO mund të prodhohet nga spërkatja reaktive DC në objektivin e aliazhit indium-kallaj, por sipërfaqja e synuar do të oksidohet dhe do të ndikojë në shkallën e spërkatjes dhe është e vështirë të merret objektivi i aliazhit me madhësi të madhe.
Në ditët e sotme, metoda e parë është miratuar përgjithësisht për të prodhuar materialin e synuar ITO, i cili është veshja me spërkatje me reaksion të spërkatjes magnetron.Ka një shkallë të shpejtë depozitimi.Trashësia e filmit mund të kontrollohet me saktësi, përçueshmëria është e lartë, qëndrueshmëria e filmit është e mirë dhe ngjitja e substratit është e fortë.Por materiali i synuar është i vështirë për t'u bërë, sepse oksidi i indiumit dhe oksidi i kallajit nuk shkrihen lehtë së bashku.Në përgjithësi, ZrO2, Bi2O3 dhe CeO zgjidhen si aditivë sinterues dhe mund të merret materiali i synuar me një dendësi prej 93%~98% të vlerës teorike.Performanca e filmit ITO të formuar në këtë mënyrë ka një marrëdhënie të shkëlqyer me aditivët.
Rezistenca bllokuese e filmit ITO e marrë nga përdorimi i një materiali të tillë objektiv arrin 8.1×10n-cm, që është afër rezistencës së filmit të pastër ITO.Madhësia e xhamit FPD dhe përçues është mjaft e madhe, dhe gjerësia e xhamit përçues mund të arrijë edhe 3133 mm.Për të përmirësuar përdorimin e materialeve të synuara, janë zhvilluar materiale të synuara ITO me forma të ndryshme, si forma cilindrike.Në vitin 2000, Komisioni Kombëtar i Planifikimit të Zhvillimit dhe Ministria e Shkencës dhe Teknologjisë përfshinë objektiva të mëdha të ITO-s në Udhëzimet për Fushat Kyçe të Industrisë së Informacionit Aktualisht me Prioritet për Zhvillim.
3. Përdorimi i ruajtjes
Për sa i përket teknologjisë së ruajtjes, zhvillimi i disqeve të ngurtë me densitet të lartë dhe me kapacitet të madh kërkon një numër të madh materialesh filmike me ngurrim gjigant.Filmi i përbërë me shumë shtresa CoF~Cu është një strukturë e përdorur gjerësisht e filmit gjigant ngurrues.Materiali i synuar i aliazhit TbFeCo i nevojshëm për diskun magnetik është ende në zhvillim të mëtejshëm.Disku magnetik i prodhuar me TbFeCo ka karakteristikat e kapacitetit të madh të ruajtjes, jetëgjatësisë së shërbimit dhe fshirjes së përsëritur pa kontakt.
Memoria e ndryshimit të fazës me bazë teluridi i antimonit (PCM) tregoi një potencial të rëndësishëm tregtar, bëhet pjesë NOR memoria flash dhe tregu DRAM një teknologji alternative ruajtëse, megjithatë, në zbatimin e zvogëlimit më të shpejtë të një prej sfidave në rrugën e ekzistencës është mungesa e rivendosjes. prodhimi aktual mund të ulet më tej njësi e mbyllur plotësisht.Zvogëlimi i rrymës së rivendosjes redukton konsumin e energjisë së kujtesës, zgjat jetëgjatësinë e baterisë dhe përmirëson gjerësinë e brezit të të dhënave, të gjitha veçoritë e rëndësishme në pajisjet e sotme konsumatore të përqendruara te të dhënat dhe shumë portative.
Koha e postimit: Gusht-09-2022